A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

WO2006029061 Art A1 16. März 2006

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006029061
Aktenzeichen: EP05796078
Anmeldetag: 2. September 2005
Veröffentlichung: 16. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/336H01L21/28H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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