Mos type field effect transistor and manufacturing method therefor

WO2006030505 Art A1 23. März 2006

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006030505
Aktenzeichen: EP04822288
Anmeldetag: 16. September 2004
Veröffentlichung: 23. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L27/092H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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