Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2006030522 Art A1 23. März 2006

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006030522
Aktenzeichen: EP04773295
Anmeldetag: 17. September 2004
Veröffentlichung: 23. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L27/092H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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