Semiconductor device manufacturing method

WO2006030581 Art A1 23. März 2006

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006030581
Aktenzeichen: EP05766153
Anmeldetag: 19. Juli 2005
Veröffentlichung: 23. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/28H01L21/3205H01L21/768H01L29/423H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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