Ink composition for etching resist, method of forming etching resist pattern using the same, and method of formng microchannel using the ink composition
WO2006031079
Art A1
23. März 2006
Anmelder: LG Chem, Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006031079
- Aktenzeichen
- EP05808778
- Anmeldetag
- 15. September 2005
- Veröffentlichung
- 23. März 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Chem, Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Chem
Südkoreanisches Chemieunternehmen, das Batteriematerialien, Kunststoffe, petrochemische Produkte und pharmazeutische Wirkstoffe herstellt.
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