Bst integration using thin buffer layer grown directly onto sio<sb>2</sb>/si substrate

WO2006034119 Art A1 30. März 2006

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006034119
Aktenzeichen: EP05798027
Anmeldetag: 19. September 2005
Veröffentlichung: 30. März 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01P1/18H01P3/00

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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