Verfahren zur Herstellung eines Flansches für ein Halbleiterbauelement sowie nach Diesem Verfahren Hergestellter Flansch
WO2006034697
Art A1
6. April 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006034697
- Aktenzeichen
- EP05800694
- Anmeldetag
- 28. September 2005
- Veröffentlichung
- 6. April 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/373
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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