Semiconductor memory device having charge-trapping memory cells

WO2006034854 Art A2 6. April 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006034854
Aktenzeichen: EP05788713
Anmeldetag: 28. September 2005
Veröffentlichung: 6. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247H01L21/336H01L29/786H01L29/792H01L29/788G11C16/04H01L21/768H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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