Silicon substrate processing method
WO2006035893
Art A1
6. April 2006
Anmelder: HAMAMATSU PHOTONICS K.K., Nagata, Seiichi 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006035893
- Aktenzeichen
- EP05788181
- Anmeldetag
- 29. September 2005
- Veröffentlichung
- 6. April 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G02B6/13
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
Nagata, Seiichi - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hamamatsu Photonics
Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.
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