A mask and a method for treating a substrate with a material flux to deposit or remove a layer having a predetermined thickness profile

WO2006037153 Art A1 13. April 2006

Anmelder: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation 🇦🇺

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006037153
Aktenzeichen: EP05789425
Anmeldetag: 29. September 2005
Veröffentlichung: 13. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/467C23C14/04C23C16/04C23C16/52C23C14/54

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation
Land: 🇦🇺 Australien

🇦🇺 CSIRO

Australische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Canberra, tätig in einem breiten Spektrum wissenschaftlicher Disziplinen von Agrarwissenschaft über Materialforschung bis Astronomie.

859 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von