Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus einem Dotierten Halbleitermaterial
WO2006037300
Art A2
13. April 2006
Anmelder: Novaled AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006037300
- Aktenzeichen
- EP05805790
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 13. April 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Novaled AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Novaled
Deutsches Unternehmen für OLED-Technologie mit Sitz in Dresden. Novaled entwickelt Materialien und Technologien zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden für Displays und Beleuchtung.
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