Method for producing p-type ga2o3 film and method for producing pn junction-type ga2o3 film

WO2006038567 Art A1 13. April 2006

Anmelder: WASEDA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006038567
Aktenzeichen: EP05787587
Anmeldetag: 30. September 2005
Veröffentlichung: 13. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/363H01L33/00C30B23/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WASEDA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Waseda University

Waseda University ist eine private japanische Universität mit Sitz in Tokio und breitem ingenieurwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess- und Werkstofftechnik. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit dem Jahr 2000.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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