A method and system for forming a feature in a high-k layer

WO2006038974 Art A2 13. April 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006038974
Aktenzeichen: EP05779555
Anmeldetag: 10. August 2005
Veröffentlichung: 13. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/76H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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