A method for forming a thin complete high-permittivity dielectric layer
WO2006039029
Art A2
13. April 2006
Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006039029
- Aktenzeichen
- EP05792956
- Anmeldetag
- 31. August 2005
- Veröffentlichung
- 13. April 2006
- Rechtsraum
- WO
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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