Independently Accessed Double-Gate And Tri-Gate Transistors in Same Process Flow

WO2006039600 Art A1 13. April 2006

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006039600
Aktenzeichen: EP05818284
Anmeldetag: 29. September 2005
Veröffentlichung: 13. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/84H01L27/12H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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