Method for production of charge-trapping memory cells

WO2006040165 Art A2 20. April 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006040165
Aktenzeichen: EP05796043
Anmeldetag: 13. Oktober 2005
Veröffentlichung: 20. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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