Semiconductor memory device with mos transistors each having floating gate and control gate
WO2006040633
Art A1
20. April 2006
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006040633
- Aktenzeichen
- EP05805612
- Anmeldetag
- 30. September 2005
- Veröffentlichung
- 20. April 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C8/08G11C8/10G11C16/08G11C16/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
13.647 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.