Low Noise Field Effect Transistor

WO2006041798 Art A1 20. April 2006

Anmelder: Northrop Grumman Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006041798
Aktenzeichen: EP05808597
Anmeldetag: 4. Oktober 2005
Veröffentlichung: 20. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/10H01L29/06H01L21/74

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northrop Grumman Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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