Pre-Silicidation Amorphization in Semiconductor Device Nickel Sili Cide
WO2006041837
Art A1
20. April 2006
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006041837
- Aktenzeichen
- EP05809853
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 20. April 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3205H01L21/4763
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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