Ion beam implant current, spot width and position tuning

WO2006042167 Art A1 20. April 2006

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006042167
Aktenzeichen: EP05808811
Anmeldetag: 7. Oktober 2005
Veröffentlichung: 20. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

690 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von