Laser irradiation method, laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device

WO2006043690 Art A1 27. April 2006

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006043690
Aktenzeichen: EP05795330
Anmeldetag: 18. Oktober 2005
Veröffentlichung: 27. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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