Integration of multiple gate dielectrics by surface protection

WO2006044112 Art A2 27. April 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006044112
Aktenzeichen: EP05798771
Anmeldetag: 27. September 2005
Veröffentlichung: 27. April 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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