Method for growing thin layers of low curvature silicon carbide on a silicon substrate

WO2006045920 Art A1 4. Mai 2006

Anmelder: UNIVERSITE CLAUDE BERNARD - LYON 1, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS- 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006045920
Aktenzeichen: EP05809218
Anmeldetag: 18. Oktober 2005
Veröffentlichung: 4. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: UNIVERSITE CLAUDE BERNARD - LYON 1
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Université Claude Bernard Lyon 1

Französische öffentliche Universität in Lyon mit Schwerpunkt Naturwissenschaften, Medizin und Technik. Zahlreiche Patente aus der Forschung in Chemie, Biomedizin und Materialwissenschaften.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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