Method for forming gate insulating film, semiconductor device and computer recording medium

WO2006046634 Art A1 4. Mai 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006046634
Aktenzeichen: EP05799352
Anmeldetag: 27. Oktober 2005
Veröffentlichung: 4. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/31H01L21/8242H01L27/108H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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