Solid Phase Epitaxy Recrystallization By Laser Annealing
WO2006047442
Art A1
4. Mai 2006
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006047442
- Aktenzeichen
- EP05815016
- Anmeldetag
- 19. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 4. Mai 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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