Using polydentate ligands for sealing pores in low-k dielectrics

WO2006048241 Art A1 11. Mai 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006048241
Aktenzeichen: EP05808045
Anmeldetag: 2. November 2005
Veröffentlichung: 11. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/3105H01L21/311C23C16/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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