Metal-semiconductor field effect transistors (mesfets) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same

WO2006049677 Art A2 11. Mai 2006

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006049677
Aktenzeichen: EP05789891
Anmeldetag: 24. August 2005
Veröffentlichung: 11. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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