Etching method including photoresist plasma conditioning step with hydrogen flow rate ramping

WO2006049736 Art A1 11. Mai 2006

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006049736
Aktenzeichen: EP05801136
Anmeldetag: 23. September 2005
Veröffentlichung: 11. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/40H01L21/027H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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