Transistor structure with dual trench for optimized stress effect and method thereof

WO2006050051 Art A2 11. Mai 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006050051
Aktenzeichen: EP05816084
Anmeldetag: 25. Oktober 2005
Veröffentlichung: 11. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/12H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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