Method for forming hole in crystal substrate, and crystal substrate having hole formed by said method

WO2006051727 Art A1 18. Mai 2006

Anmelder: OSAKA UNIVERSITY, Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006051727
Aktenzeichen: EP05805476
Anmeldetag: 1. November 2005
Veröffentlichung: 18. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSAKA UNIVERSITY
Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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