Low-K Dielectric Layer Formed From Aluminosilicate Precursors
WO2006053069
Art A2
18. Mai 2006
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006053069
- Aktenzeichen
- EP05818809
- Anmeldetag
- 8. November 2005
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2006
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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