Ferromagnetic film, magnetic resistance element and magnetic random access memory

WO2006054469 Art A1 26. Mai 2006

Anmelder: NEC Corporation, Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006054469
Aktenzeichen: EP05806172
Anmeldetag: 9. November 2005
Veröffentlichung: 26. Mai 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01F10/16H01F10/32H01L21/8246H01L27/105H01L43/08H01L43/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

18.204 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

3.468 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von