Phase change memory cell with transparent conducting oxide as electrode contact material

WO2006057541 Art A1 1. Juni 2006

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology, Seoul National University Industry Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006057541
Aktenzeichen: EP05819020
Anmeldetag: 29. November 2005
Veröffentlichung: 1. Juni 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea Institute of Science and Technology
Seoul National University Industry Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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