Reduced Power Magnetoresistive Random Access Memory Elements

WO2006058224 Art A1 1. Juni 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006058224
Aktenzeichen: EP05825423
Anmeldetag: 21. November 2005
Veröffentlichung: 1. Juni 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G11C19/08G11C15/02G11C11/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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