Wärmeaustauschvorrichtung für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zu Ihrer Herstellung

WO2006058860 Art A2 8. Juni 2006

Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT, Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006058860
Aktenzeichen: EP05813524
Anmeldetag: 24. November 2005
Veröffentlichung: 8. Juni 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/473H01L23/482H01L23/538

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Siemens

Deutscher Technologiekonzern mit Sitz in München und Berlin. Aktiv in Automatisierungstechnik, Digitalisierung, Energie- und Bahntechnik sowie Industriesoftware für Industrie, Infrastruktur und Mobilität.

49.350 Patente in unserer Datenbank

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von