Molten metal leak detector in single crystal lift mechanism and single crystal lift mechanism and molten metal leak detecting method
WO2006059453
Art A1
8. Juni 2006
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006059453
- Aktenzeichen
- EP05800320
- Anmeldetag
- 2. November 2005
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/00C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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