Method for forming low defect density alloy layers and structure containing such layers

WO2006060300 Art A2 8. Juni 2006

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006060300
Aktenzeichen: EP05848061
Anmeldetag: 29. November 2005
Veröffentlichung: 8. Juni 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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