Reduced circuit area and improved gate length control in semiconductor device

WO2006060590 Art A2 8. Juni 2006

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2006060590
Aktenzeichen
EP05852660
Anmeldetag
1. Dezember 2005
Veröffentlichung
8. Juni 2006
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/52H01L21/4763
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Texas Instruments Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

3.600 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen