Power field effect transistor device and method of manufacture thereof

WO2006063614 Art A1 22. Juni 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006063614
Aktenzeichen: EP04804483
Anmeldetag: 16. Dezember 2004
Veröffentlichung: 22. Juni 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/28H01L23/29

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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