Boron nitride thin film emitter and production method therefor, and electron emission method using boron nitride thin film emitter
WO2006068287
Art A1
29. Juni 2006
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006068287
- Aktenzeichen
- EP05822655
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J1/304H01J9/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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