Improved Semiconductor Thin-Film Transistor Structure
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, Centre National de la Recherche Scientifique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006070154
- Aktenzeichen
- EP05848159
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 6. Juli 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L29/423H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Centre National de la Recherche Scientifique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
7.382 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.