Method for manufacturing semiconductor device

WO2006070452 Art A1 6. Juli 2006

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006070452
Aktenzeichen: EP04807957
Anmeldetag: 28. Dezember 2004
Veröffentlichung: 6. Juli 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C25D21/18C25D7/12C25D17/00H01L23/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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