Method for nitriding tunnel oxide film, method for manufacturing non-volatile memory device, non-volatile memory device, control program and computer-readable recording medium

WO2006070685 Art A1 6. Juli 2006

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006070685
Aktenzeichen: EP05820134
Anmeldetag: 22. Dezember 2005
Veröffentlichung: 6. Juli 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L21/318H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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