Ldmos Transistor

WO2006072575 Art A2 13. Juli 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006072575
Aktenzeichen: EP06700484
Anmeldetag: 5. Januar 2006
Veröffentlichung: 13. Juli 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/08H01L29/10H01L29/36H01L29/41

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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