Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon tfts

WO2006073568 Art A2 13. Juli 2006

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006073568
Aktenzeichen: EP05856960
Anmeldetag: 15. November 2005
Veröffentlichung: 13. Juli 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/00H05H1/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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