Low-pressure removal of photoresist and etch residue
WO2006073622
Art A2
13. Juli 2006
Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006073622
- Aktenzeichen
- EP05849736
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 13. Juli 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01L21/30G01R31/00B44C1/22H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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