Quantum well transistor using high dielectric constant dielectric layer

WO2006074197 Art A1 13. Juli 2006

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006074197
Aktenzeichen: EP06717357
Anmeldetag: 3. Januar 2006
Veröffentlichung: 13. Juli 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/338

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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