Nonvolatile memory cell having current compensated for temperature dependency and data read method thereof
WO2006075202
Art A1
20. Juli 2006
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006075202
- Aktenzeichen
- EP05789825
- Anmeldetag
- 30. September 2005
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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