Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors, Feldeffekttransistor und Integrierte Schaltungsanordnung

WO2006076991 Art A2 27. Juli 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006076991
Aktenzeichen: EP05817556
Anmeldetag: 9. Dezember 2005
Veröffentlichung: 27. Juli 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/08H01L27/088H01L21/8234H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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