Semiconductor device having micro structure, and fabrication method of the micro structure

WO2006077867 Art A1 27. Juli 2006

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006077867
Aktenzeichen: EP06711884
Anmeldetag: 18. Januar 2006
Veröffentlichung: 27. Juli 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/84G01L9/00G01L27/00G01P9/04G01P15/08G01P15/12G01P21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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